9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA64N10L2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA64N10L2参考价格为13.63000美元。IXYS IXTA64N10L2封装/规格：MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA。您可以下载IXTA64N10L2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA62N15P是MOSFET 62安培150V 0.04 Rds，包括IXTA62N25系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为350W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35ns，上升时间为38ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏极电流为62A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为33mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为76ns，典型接通延迟时间为27ns，Qg栅极电荷为70nC，正向跨导Min为14S，并且信道模式是增强。
IXTA60N10T是MOSFET 60安培100V 18.0 Rds，包括100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.056438盎司单位重量下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于27 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如43 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXTA60N10，器件的上升时间为40 ns，器件的漏极-源极电阻为18 mOhms，Pd功耗为176 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为60 A，下降时间为37 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTA60N20T是MOSFET 60 Amps 200V，包括60 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表中显示了用于1通道的通道数，该通道提供to-263AA-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及40 mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作IXTA60N20系列。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个N沟道的晶体管类型，单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为200V。
IXTA62N25T是MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds，包括管封装，它们设计为与to-263AA-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及IXTA62N2 5系列，该器件也可以用作62 a Id连续漏电流。此外，Rds漏极-源极电阻为50欧姆，器件提供250 V Vds漏极源极击穿电压，器件的单位重量为0.056438盎司。
