9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BSS138W-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSS138W-7参考价格为3.462美元。Diodes Incorporated BSS138W-7封装/规格：MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323。您可以下载BSS138W-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSS138W是MOSFET N-CH 50V 0.21A SOT323，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为以0.001058盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SC-70、SOT-323等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在SOT-323供应商设备包中提供，该设备具有MOSFET N信道、FET型金属氧化物，最大功率为340mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为38pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为210mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为3.5 Ohm@220mA，10V，Vgs的最大Id为1.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为1.1nC@10V，Pd功耗为340 mW，Id连续漏极电流为210 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50 V，漏极-漏极电阻为6欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
BSS138TA是MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在50 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为BSS138系列，该器件的上升时间为10 ns，漏极电阻Rds为1.4欧姆，Pd功耗为360 mW，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-23-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为200 mA，下降时间为10 ns，配置为单一，通道模式为增强。
BSS138W H6327，电路图由INFINEON制造。BSS138W H6327采用SOT-323封装，是FET的一部分-单个。
