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RSQ025P03TR是MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6,包括RSQ025P02系列,它们设计为使用卷轴封装,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供Si等技术特性,通道数设计为在1通道中工作,以及单四漏极配置,该设备也可以用作TSMT-6封装盒。此外,晶体管类型为1 P沟道,器件提供1.25 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为11 ns,上升时间为11纳秒,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为2.5 A,Vds漏极-源极击穿电压为-30 V,Rds漏极源极导通电阻为145 mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为33 ns,典型接通延迟时间为8 ns,沟道模式为增强型。
RSQ030N08TR,带有ROHM制造的用户指南。RSQ030N08TR在SOT-163封装中提供,是IC芯片的一部分。
RSQ030P03 TR,带有ROHM制造的电路图。RSQ030P03 TR可在SOT163封装中获得,是FET的一部分-单个。