BSS123ATA

Name: BSS123ATA
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7154532-BSS123ATA
Price: 4.302283 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安（Ta）最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压标 (Vdss) 100伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
供应商设备包装 SOT-23-3
最大功耗 360mW (Ta)
漏源电流 (Id) @ 温度 170毫安（Ta）
部件状态过时的
导通电阻 Rds(ON) 6欧姆 @ 170毫安, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25伏时为25华氏度

BSS123ATA 产品详情

采用“沟槽”技术的塑料外壳中的N沟道增强型场效应晶体管。
BSS123ATA在SOT23超小型表面安装组件中提供。

应用程序：-
•继电器驱动器
•高速线路驱动器
•电话铃声

特色

•“沟槽”技术
•切换速度极快
•逻辑电平兼容
•微型表面安装组件

BSS123ATA 相关器件

型号	制造商	描述	价格
BSS63LT1	安盛美 (onsemi)	TRANS PNP 100V 100MA SOT-23	¥0.14486
BSS63,215	恩智浦 (NXP)	TRANS PNP 100V 100MA SOT23	¥0.14486
BSS159NH6327XTSA1	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta）最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.41817
BSS169H6327	英飞凌 (Infineon)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA	¥3.29997
BSS308PEH6327	英飞凌 (Infineon)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A	¥1.30769
BSS138PS	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.41679
BSS138NH6327-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.05442
BSS131	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	暂无	¥0.54386
BSS138LT1G-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09695
BSS138W-7-F-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09309

BSS123ATA所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS123ATA 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS123ATA价格参考￥4.302283，你可以下载 BSS123ATA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS123ATA规格参数、现货库存、封装信息等信息！