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NTMS4177PR2G是MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC，包括NTMS4177 P系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC-8，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为36 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-11.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为15 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为64 ns，典型接通延迟时间为18 ns，正向跨导最小值为30 S，沟道模式为增强。
NTMS4176PR2G是ON公司制造的MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC。NTMS4177PR2G可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH30V 5.5A-8-SOIC、P沟道30V 5.5V（Ta）810mW（Ta）表面安装8-SOIC，Trans-MOSFET P-CH 30 V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R。
NTMS4177PE2G，带有ON制造的电路图。NTMS4177 PE2G以SOP8封装形式提供，是IC芯片的一部分。
