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HUFA76409D3ST是MOSFET N-CH 60V 18A DPAK,包括UltraFET系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.009184盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于to-252-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管型,该器件具有49 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为50 ns,上升时间为34 ns,Vgs栅极-源极电压为16 V,Id连续漏极电流为17 a,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds导通漏极-漏极电阻为52mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为41ns,典型接通延迟时间为5.3ns,沟道模式为增强型。
HUFA76407P3是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB。HUFA76407P3以TO-220-3封装形式提供,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB、N沟道60V 13B(Tc)38W(Tc)通孔TO-220AA、Trans MOSFET N-CH60V 13A3-Pin(3+Tab)TO-220AC导轨。
HUFA76409D,带有FSC制造的电路图。HUFA76409D采用SOT-252封装,是FET的一部分-单个。
HUFA76409D3S是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 18A DPAK。HUFA76409D3S可提供TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 60V 18A DPak、N沟道60V 18B(Tc)49W(Tc)表面安装TO-252AA、Trans MOSFET N-CH60V 17A 3-Pin(2+接线片)TO-252AB。