9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HUFA76429P3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HUFA76429P3价格参考2.656美元。onsemi HUFA76429P3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3。您可以下载HUFA76429P3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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HUFA76429D3是MOSFET N-CH 60V 20A IPAK，包括UltraFET系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在HUFA76429 D3_NL中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.012102盎司，安装样式设计用于通孔，以及IPAK-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为110 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为56 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为20.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为7.7ns，沟道模式为增强。
HUFA76429D3ST_F085带用户指南，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7.7 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件的上升时间为36 ns，该器件具有23 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为110 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为20 A，下降时间为56 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
HUFA76429D3S是由FAIRCHILD制造的N通道60V 20A（Tc）110W（Tc）表面贴装TO-252AA。HUFA76429D3S采用TO-252-2封装，是IC芯片的一部分，支持N沟道60V 20A（Tc）110W（Tc）表面贴装TO-252AA。
HUFA76429D3ST是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 20A DPAK。HUFA76429D3ST可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 20A DPak、Trans MOSFET N-CH60V 20A3引脚（2+接线片）TO-252AA T/R。
