9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH86N20T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH86N20T参考价格为6.35400美元。IXYS IXTH86N20T封装/规格：MOSFET N-CH 200V 86A TO247。您可以下载IXTH86N20T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTH76P10T是MOSFET-76安培-100V 0.024 Rds，包括IXTH76P10系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商标设计用于TrenchP，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，Pd功耗为298 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为-76 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为-4V，Rds漏极-源极电阻为25mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为197nC，正向跨导最小值为35S，沟道模式为增强。
IXTH75N15是MOSFET N-CH 150V 75A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH75N15系列，器件的上升时间为33 ns，漏极电阻Rds为23 mOhms，Pd功耗为330 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为75A，下降时间为17ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH80N20L是MOSFET标准线性功率MOSFET，包括增强通道模式，它们设计为在29 ns的下降时间下工作，数据表中显示了30 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，例如80 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该设备也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为TO-247-3，器件采用管封装，器件具有520 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为180 nC，Rds漏极-源极电阻为32 mOhm，上升时间为44 ns，系列为IXTH80N20，技术为Si，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72 ns，典型的接通延迟时间为29ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTH80N075L2具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用LinearL2商品名运行。
