9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA90N15T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA90N15T参考价格$4.104。IXYS IXTA90N15T封装/规格：MOSFET N-CH 150V 90A TO263。您可以下载IXTA90N15T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTA90N15T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTA8N50P是MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds，包括IXTA8N50系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438 oz，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于to-252-3以及Si技术，该器件也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有150 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为8 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为22ns，正向跨导最小值为8S，沟道模式为增强型。
IXTA90N055T2是MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为39 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTA90N055系列，器件的上升时间为21ns，漏极电阻Rds为8.4mOhms，Pd功耗为150W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为90 A，下降时间为19 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTA90N075T2是MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了20 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如90 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为180 W，Rds漏极-源极电阻为10 mOhms，上升时间为28 ns，系列为IXTA90N075，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为14ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTA86N20T是MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds，包括管封装，它们设计为与to-252-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单级等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXTA86N2 0系列。此外，Id连续漏极电流为86 A，器件提供480 W Pd功耗，器件具有30 V Vgs栅极-源极电压，Rds漏极-源极电阻为29 mOhms，Vds漏极源极击穿电压为200 V，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.056438 oz，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃。
