9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTC110N25T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTC110N25T参考价格为1.996美元。IXYS IXTC110N25T封装/规格：MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220。您可以下载IXTC110N25T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTB30N100L是MOSFET 30 Amps 1000V，包括IXTB30N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有800W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为78 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为30 a，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，第Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为36ns，Qg栅极电荷为545nC，正向跨导最小值为6S，沟道模式为增强。
IXTB62N50L是MOSFET 62安培500V 0.1 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.373904盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如36 ns，典型的关闭延迟时间设计为110 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTB62N50系列，器件的上升时间为85 ns，漏极电阻Rds为100 mOhms，Pd功耗为800 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为62A，下降时间为75ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTC1088，电路图由IXYS制造。IXTC1088采用DIP40封装，是IC芯片的一部分。
