9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH102N20T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH102N20T参考价格为1.478美元。IXYS IXTH102N20T封装/规格：MOSFET N-CH 200V 102A TO247。您可以下载IXTH102N20T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTF1N450是MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK，包括IXTF1N 450系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，包装盒设计用于i4 Pac-5（3引线），以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该设备提供1信道数信道，该设备具有ISOPLUS i4 PAC？供应商设备包，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为160W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为4500V（4.5kV），输入电容Cis Vds为1730pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为900mA（Tc），最大Id Vgs为85 Ohm@50mA，10V，Vgs最大Id为6.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为165 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为127 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极源极电压为20 V，Id连续漏极电流为900 mA，Vds漏极-源极击穿电压为4500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V至6V，Rds漏极源极电阻为95欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为34ns，Qg栅极电荷为40nC，正向跨导最小值为0.46S，沟道模式为增强。
带有用户指南的IXTF1N250，包括2 V至4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于2500 V，提供0.229281盎司等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为69 ns，以及132 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTF1N250系列，上升时间为25ns，Rds漏极-源极电阻为40欧姆，Qg栅极电荷为41nC，Pd功耗为110W，封装为管，封装外壳为ISOPLUS-i4-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为1A，正向跨导最小值为1.8 mS，下降时间为39 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTF200N10T是MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds，包括增强通道模式，它们设计用于单双漏双源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于34 ns，提供Id连续漏电流功能，如120 a，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该设备也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用ISOPLUS-i4-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为200 W，漏极-源极电阻Rds为6.3 mOhms，上升时间为31 ns，系列为IXTF200N10，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为35ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V。
IXTH02N250是由IXYS制造的“MOSFET高压功率MOSFET；2500V”。IXTH02N2 50以TO-247封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET高电压功率MOSFET”；2500V，N沟道2500V 200mA（Tc）83W（Tc）通孔TO-247（IXTH），MOSFET高压功率MOSFET；2500V，0.2A。
