9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH90N15T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH90N15T参考价格为11.944美元。IXYS IXTH90N15T封装/规格：MOSFET N-CH 150V 90A TO247。您可以下载IXTH90N15T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH8P50是MOSFET-8 Amps-500V 1.2 Rds，包括IXTH8P80系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有180 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-8 a，Vds漏极-源极击穿电压为-500V，Vgs栅极-源极阈值电压为-5V，Rds漏极源极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为33ns，Qg栅极电荷为130nC，正向跨导最小值为4s，沟道模式为增强。
IXTH88N15是MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在150 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH88N15系列，器件的上升时间为33 ns，漏极电阻Rds为22 mOhms，Pd功耗为400 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为88 A，下降时间为18 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH88N30P是MOSFET N-CH 300V 88A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于25 ns，提供Id连续漏极电流功能，如88 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为600 W，Rds漏极-源极电阻为40 mOhm，上升时间为24 ns，系列为IXTH88N30，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.257500盎司，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTH88N30是由IXYS制造的MOSFET N-CH 300V 88A TO-247。IXTH88N30采用TO-247-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 300V 88A TO-247。
