9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTV102N20T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTV102N20T参考价格为1.402美元。IXYS IXTV102N20T封装/规格：MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220。您可以下载IXTV102N20T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTV102N20T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTU02N50D是MOSFET 0.2安培500V 30 Rds，包括IXTU02N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于IPAK-3以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为4纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为30欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为9ns，沟道模式为耗尽。
IXTU05N100是MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作IXTU05N100系列。此外，Rds漏极源极电阻为17欧姆，该器件提供40 W Pd功耗，该器件有一卷包装，包装箱为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为750 mA，配置为单一。
IXTU1769，电路图由IXYS制造。IXTU1769采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
IXTU2N80P是由IXYS制造的MOSFET N-CH TO-251。IXTU2N80P可提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH TO-251、N沟道800V 2A（Tc）70W（Tc）通孔TO-251。
