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HUF75631S3ST是MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET,包括卷轴封装,它们设计用于HUF75633S3ST_NL零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.046296盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于to-252-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有120 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为55 ns,上升时间为57 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏电流为33 a,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds漏极源极导通电阻为40mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为40ns,典型接通延迟时间为9.5ns,沟道模式为增强型。
HUF75631S3S是FSC制造的MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK。HUF75631S3S可用于TO-263-3,D²Pak(2引线+接线片),TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK,N沟道100V 33B(Tc)120W(Tc)表面安装D?PAK(TO-263AB),跨MOSFET N-CH 100V 33A 3引脚(2+Tab)D2PAK导轨。
HUF75631SK8是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP。HUF75631SK8采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP。