9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HUF75939P3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。5939P3 HUF75939P3参考价格为2.136美元。onsemi HUF75939P3封装/规格:MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3。您可以下载HUF75939P3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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HUF75852G3是MOSFET N-CH 150V 75A TO-247,包括UltraFET系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于HUF75858G3_NL,提供0.225401盎司等单位重量功能,安装样式设计用于通孔,以及TO-247-3封装盒,该设备也可以用作硅技术。此外,信道数为1信道,该器件为单配置,该器件具有1个晶体管型N信道,Pd功耗为500 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为107 ns,上升时间为151 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为75A,Vds漏极-源极击穿电压为150V,Rds导通漏极-电源电阻为16m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为82ns,典型接通延迟时间为22ns,沟道模式为增强。
HUF75925D3ST是FAI制造的MOSFET N-CH 200V 11A DPAK。HUF75925D3ST采用TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 200V 11A DPak、N沟道200V 11A(Tc)100W(Tc)表面安装TO-252AA。
HUF75925P3,带有INTERSIL制造的电路图。HUF75925P3采用TO-220封装,是IC芯片的一部分。