特色
- 占地面积小（5x6mm）
- 紧凑型设计
- 低Rds（开）
- 最小化传导损耗
- 低Qg和电容
- 将驾驶员损失降至最低
- 符合RoHS
应用
- 电机控制
- 电源开关（高端驱动器、低端驱动器、H桥等）
- 同步整流器
- 开关电源
- 电动工具
- 太阳能转化器
- 电池管理
NTMFS5C609NLT1G
- 描述:MOSFET N-CH 60V SO8FL
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1500+ | 25.35015 | 38025.22500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.67508
-
数量:
- +
- 总计: ¥38,025.23
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 技术 -
- 场效应管类型 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
NTMFS5C609NLT1G 产品详情
商用功率Mosfet，采用5x6mm扁平引线封装，设计紧凑高效，具有高热性能。
NTMFS5C609NLT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTMS4N01R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC | ¥1.30372 |
 | NTMD3P03R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | ¥1.59344 |
 | NTMSD3P303R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET/DIODE SCHOTTKY P-CH 8SOIC | ¥1.44858 |
 | NTMD6P02R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC | ¥1.66587 |
| NTMFS4709NT1G | 安盛美 (onsemi) | NFET S08FL 30V 94A .003R | ¥1.81073 |
| NTMFS5C442NLTWFT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS5C442NLT - SINGLE N-CHANNEL | ¥6.70548 |
| NTMFS4C13NBT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS4C13N - MOSFET SO8FL 30V 38 | ¥1.50652 |
| NTMFS5C460NL | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、78A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | NTMFS4C55NT1G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | ¥3.83874 |
 | NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMFS5C609NLT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS5C609NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS5C609NLT1G价格参考￥12.675075，你可以下载 NTMFS5C609NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS5C609NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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