9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIE806DF-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIE806DF-T1-E3参考价格$5.02。Vishay Siliconix SIE806DF-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK。您可以下载SIE806DF-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIE802DF-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK，包括卷轴封装，它们设计为与SIE802DF-E3零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如POLARPAK-10，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供5.2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns 10 ns，上升时间为195 ns 20 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为42.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns 65ns，典型接通延迟时间为45 ns 25ns，沟道模式为增强。
SIE503.3R带有用户指南，包括3.3V电压输出1，它们设计用于4.5V电压输入最小值，电压输入最大值，如数据表注释所示，用于5.5V，提供非隔离PoL模块、，尺寸尺寸设计为2.50“长x 0.55”宽x 0.25“高（63.5mm x 14.0mm x 6.4mm），以及SIE 500系列，该设备也可以用作20W功率瓦制造系列。此外，包装为散装，设备采用11-SIP模块包装盒，其工作温度范围为0°C~55°C，输出数量为1，安装类型为通孔，功能为远程开/关、OCP、SCP，效率为0.87，电流输出最大值为6A，应用为ITE（商用）。
SIE800DF-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK。SIE800DF-T1-E3以10 PolarPAK®（S）封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 50A 10-PolarPAK、N沟道30V 50C（Ta）5.2W（Ta）、104W（Tc）表面安装10 PolarPAK？（S） 。
