9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDM606P，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDM606P参考价格为4.562美元。onsemi FDM606P封装/规格：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP。您可以下载FDM606P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDM3622是MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于FDM3622_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.007408盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及8-PowerWDFN封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为8-MLP（3.3x3.3），配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为900mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1090pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为4.4A（Ta），最大Id Vgs的Rds为60 mOhm@4.4A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@10V，Pd功耗为2.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为26 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为44 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为11ns，信道模式为增强。
FDM47-06KC5是MOSFET CoolMOS功率MOSFET w/HiPerDyn FRED，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，设计用于0.229281盎司的单位重量，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供CoolMOS等商品名功能，技术设计用于Si，以及FDM47-06KC5系列，该器件也可以用作45毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，装置采用ISOPLUS-i4-5包装盒，装置具有安装式通孔，Id连续漏电流为47A。
FDM3622NZ，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDM3622NZ采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
