9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIE832DF-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIE832DF-T1-E3参考价格为5.16美元。Vishay Siliconix SIE832DF-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK。您可以下载SIE832DF-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIE830DF-T1-E3是MOSFET 30V 50A 104W，包括卷轴封装，它们设计为与SIE830DF-E3零件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PolarPAK-10，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供5.2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为95 ns，上升时间为105 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为27 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为4.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
SIE816DF-T1-GE3是MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作5.2 W Pd功耗。此外，零件别名为SIE816DF-GE3，该设备采用卷筒包装，该设备具有PolarPAK-10封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为19.8 a，配置为单一。
SIE830DF-T1-GE3是MOSFET 30V 120A 104W 4.2mohm@110V，包括单一配置，它们设计为在27 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可以用作PolarPAK-10包装盒。此外，包装为卷筒，该器件以SIE830DF-GE3零件别名提供，该器件具有5.2W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为4.2mOhms，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为12V。
SIE818DF，带有VAHSY制造的EDA/CAD模型。SIE818DF以SMD封装形式提供，是FET的一部分-单个。
