9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HUF76407P3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HUF76407P3参考价格为0.978美元。onsemi HUF76407P3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3。您可以下载HUF76407P3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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HUF76407D3ST是MOSFET N-CH 60V 12A DPAK，包括UltraFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为38W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为350pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为92mOhm@13A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11.3nC@10V，Pd功耗为38W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为32ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为77mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型导通延迟时间为5ns，沟道模式为增强。
HUF76407DK8T是MOSFET 2N-CH 60V SOP-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于UltraFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如90 mOhm@3.8A，10V，Power Max设计用于2.5W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有330pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为11.2nC@110V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V。
HUF76407DK8是FAIRCHILD制造的MOSFET 2N-CH 60V SOP-8。HUF76407DK8采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 60V SOP-8。
