9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA160N085T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA160N085T参考价格为10.1美元。IXYS IXTA160N085T封装/规格：MOSFET N-CH 85V 160A TO263。您可以下载IXTA160N085T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA160N04T2是MOSFET 160Amps 40V，包括IXTA160NO4系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供250 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为27 ns，Id连续漏极电流为160 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为4V，Rds漏极-源极电阻为5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为79nC，正向跨导Min为38S 62S，沟道模式为增强。
IXTA15P15T是MOSFET TenchP功率MOSFET，包括-150V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.056438 oz的单位重量工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于P沟道，提供Si等技术特性，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-263AA-3，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有-15 a的Id连续漏电流。
带有电路图的IXTA15P15T-A2，包括-15 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-263AA-3，提供管、漏极电阻等封装特性，设计用于240 mOhms，以及IXTA15P25系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件的单位重量为0.056438盎司，器件具有-150V的Vds漏极-源极击穿电压。
IXTA15N50L2是MOSFET，包括管封装，它们设计用于硅技术，产品名称显示在LinearL2中使用的数据表注释中。
