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HUFA76504DK8T是MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC，包括UltraFET？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SOP供应商器件封装，该器件也可作为2 N通道（双）FET类型。此外，最大功率为2.5W，器件提供80V漏极到源极电压Vdss，器件具有270pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，最大Id Vgs的Rds为200mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为10nC@10V。
HUFA76439S3ST是INTERSIL制造的MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK。HUFA76439S3ST可用于TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK，N沟道60V 75B（Tc）155W（Tc）表面安装D？PAK（TO-263AB），Trans-MOSFET N-CH 60V 75A 3引脚（2+Tab）TO-263AB-T/R。
HUFA76443S3S是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK。HUFA76443S3S采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK，N沟道60V 75B（Tc）260W（Tc，表面安装D？PAK（TO-263AB），跨MOSFET N-CH 60V 75A 3引脚（2+Tab）TO-263AB。
