9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTY2N80P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTY2N80P参考价格为26.508美元。IXYS IXTY2N80P封装/规格：MOSFET N-CH 800V 2A TO252。您可以下载IXTY2N80P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTY2N60P是MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds，包括IXTY2N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为55W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23ns，上升时间为20ns，Vgs栅源电压为30V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为7nC，正向跨导最小值为1.4S，并且信道模式是增强。
IXTY26P10T是MOSFET TrenchP功率MOSFET，包括-4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在15 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-100 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为20 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchP，该器件采用Si技术，该器件具有IXTY26P10系列，上升时间为15 ns，漏极源极电阻Rds为90 mOhms，Qg栅极电荷为52 nC，Pd功耗为150 W，封装为Tube，封装外壳为TO-252-3，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-26 A，正向跨导最小值为10 S，下降时间为11 ns，信道模式为增强。
IXTY2N100P是MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了27 ns的下降时间，提供Id连续漏极电流功能，如2A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为86 W，Rds漏极-源极电阻为7.5欧姆，上升时间为29 ns，系列为IXTY2N100，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.012346oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
