9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA180N055T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA180N055T参考价格为3.552美元。IXYS IXTA180N055T封装/规格：MOSFET N-CH 55V 180A TO263。您可以下载IXTA180N055T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA160N04T2是MOSFET 160Amps 40V，包括IXTA160NO4系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供250 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为27 ns，Id连续漏极电流为160 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为4V，Rds漏极-源极电阻为5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为79nC，正向跨导Min为38S 62S，沟道模式为增强。
IXTA16N50P是MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTA16N50系列，器件的上升时间为28 ns，漏极电阻Rds为400 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为16 A，正向跨导最小值为16 S，下降时间为25 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTA170N075T2是MOSFET 170 Amps 75V，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了19 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如170 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为360 W，Rds漏极-源极电阻为5.4 mOhms，上升时间为11 ns，系列为IXTA170N075，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为19ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTA160N10T是MOSFET N-CH 100V 160A TO-263，包括管封装，它们设计为与TO-252-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单级等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXTA160N0系列。此外，信道模式为增强型，该器件的漏极-源极电阻为7 mOhms Rds，器件的上升时间为61 ns，典型关断延迟时间为49 ns，Pd功耗为430 W，下降时间为42 ns，典型接通延迟时间为33 ns，Id连续漏极电流为160 a，Vds漏极-电源击穿电压为100 V，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.056438盎司，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃。
