9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFS4847NT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFS4847NT3G参考价格$4.538。onsemi NTMFS4847NT3G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN。您可以下载NTMFS4847NT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFS4846NT1G是MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL，包括NTMFS4842系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SO-8FL等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供5.9 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.1 ns，上升时间为18.9 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为32.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为3.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34.2ns，典型接通延迟时间为10.7ns，沟道模式为增强。
NTMFS4847NAT3G是MOSFET 30V N-CH TRENCH 2.6 S0-8FL，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于NTMFS48407N，以及4.1 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SO-8FL，器件提供1通道数量的通道，器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为85A。
NTMFS4847NAT1G是ON公司制造的MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL。NTMFS48407NAT1GG采用8-PowerTDFN，5引线封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH30V 11.5A/SO-8FL、N沟道30V 11.5 A（Ta）、85A（Tc）880mW（Ta），48.4W（Tc）表面安装5-DFN（5x6）（8-SOFL）、Trans-MOSFET N-CH 30 V 29.5A 5引脚（4+Tab）SO-FL T/R。
NTMFS4847NT1G是ON公司制造的MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL。NTMFS48407NT1GG采用8-PowerTDFN，5引线封装，是FET的一部分-单，并支持MOSFET N-CH30V 11.5A/SO-8FL、N-沟道30V 11.5B（Ta）、85A（Tc）880mW（Ta），48.4W（Tc）表面安装5-DFN（5x6）（8-SOFL）、Trans MOSFET N-CH20V 29.5A 5引脚（4+Tab）SO-FL T/R。
