9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPP11N60CFDXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPP11N60CFDXKSA1参考价格$2.11。Infineon Technologies SPP11N60CFDXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3。您可以下载SPP11N60CFDXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPP11N60C3XKSA1是MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3，包括SPP11N60系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000681040 SPP11N6OC3 SPP11N60X3XK，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型导通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为45nC，正向跨导最小值为8.3S。
SPP11N60CFD是MOSFET N-CH 650V 11A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在650 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如34 ns，典型的关闭延迟时间设计为43 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS CFD系列，上升时间为18 ns，漏极电阻Rds为440 mOhms，Pd功耗为125 W，零件别名为SP000681042 SPP11N60CFDHKSA1 SPP11N610CFDXK SPP11N80CFDXKSA1，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为11 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPP11N60C3是INFINEON制造的MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB。SPP11N60C3在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB。
SPP11N60C3_05，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。SPP11N60C3_05采用PG-TO220-3封装，是IC芯片的一部分。
