9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HUFA76409D3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HUFA76409D3参考价格$4.098。onsemi HUFA76409D3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK。您可以下载HUFA76409D3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如HUFA76409D3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
HUFA76407DK8T_F085，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、UltraFET？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2.5W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为330pF@25V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为90mOhm@3.8A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为11.2nC@10V，Pd功耗为2.5W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，Id连续漏极电流为3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极源极电阻为90mΩ，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
HUFA76407DK8T是MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC，包括3V@250μ？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如90 mOhm@3.8A，10V，Power Max设计用于2.5W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有330pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为11.2nC@110V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V。
HUFA76407P3是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB。HUFA76407P3以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB、N沟道60V 13B（Tc）38W（Tc）通孔TO-220AA、Trans MOSFET N-CH60V 13A3-Pin（3+Tab）TO-220AC导轨。
HUFA76409D，带有FSC制造的EDA/CAD模型。HUFA76409D采用SOT-252封装，是FET的一部分-单个。
