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IXTA200N055T2是MOSFET 200安培55V 0.0042 Rds，包括IXTA200NO55系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchT2，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为200A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为49ns，典型接通延迟时间为26ns，Qg栅极电荷为109nC，正向跨导Min为50S，并且信道模式是增强。
IXTA1R6N100D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）1000V 800MA，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如27 ns，典型的关闭延迟时间设计为34 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTA1R6N100系列，器件具有65 ns的上升时间，Rds漏极-源极电阻为10欧姆，Qg栅极电荷为27 nC，Pd功耗为100 W，封装为管，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为1.6 A，正向跨导最小值为0.65 S，下降时间为41 ns。
IXTA1R6N50D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）500V 1.6A，包括1.6A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供to-263AA-3等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及2.3欧姆Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作IXTA1R6N50系列。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为500 V。
IXTA200N055，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTA200N055采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 55V 200A TO-263。
