9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFS4847NAT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFS4847NAT3G价格参考2.568美元。onsemi NTMFS4847NAT3G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN。您可以下载NTMFS4847NAT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFS4845NT1G是MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL，包括NTMFS4845系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如SO-8FL，该器件也可以用作单双漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供5.95 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12.2 ns，上升时间为48.5 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏电流为35.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28.9ns，典型接通延迟时间为20.5ns，沟道模式为增强。
NTMFS4846NT1G是MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10.7 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如34.2 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为NTMFS4846，器件的上升时间为18.9ns，器件的漏极-源极电阻为3.4 mOhms，Pd功耗为5.9 W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8FL，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为32.8 A，下降时间为7.1 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
NTMFS4847NAT1G是ON公司制造的MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL。NTMFS48407NAT1GG采用8-PowerTDFN，5引线封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH30V 11.5A/SO-8FL、N沟道30V 11.5 A（Ta）、85A（Tc）880mW（Ta），48.4W（Tc）表面安装5-DFN（5x6）（8-SOFL）、Trans-MOSFET N-CH 30 V 29.5A 5引脚（4+Tab）SO-FL T/R。
