特色
- 低RDS（开启）以最小化传导损耗
- 低电容使驱动器损耗最小化
- 优化栅极电荷以最小化开关损耗
应用
- DC-DC转换器
- 同步MOSFET
- 打印机
（图片：引出线）
NTMS4802NR2G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.1A（Ta） 最大功耗: 910毫瓦（钽） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 687
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 687+ | 3.18687 | 2189.38381 |
- 库存: 4280
- 单价: ¥3.18688
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,189.38
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 部件状态 上次购买
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 导通电阻 Rds(ON) 4毫欧姆 @ 18A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5300 pF @ 25 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36 nC @ 4.5 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 11.1A（Ta）
- 最大功耗 910毫瓦（钽）
NTMS4802NR2G 产品详情
功率MOSFET 30V 18A 4 mOhm单N沟道SO-8
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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NTMS4802NR2G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMS4802NR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMS4802NR2G价格参考￥3.186876，你可以下载 NTMS4802NR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMS4802NR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
