9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPP80N04S-2-04，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPP80N04S-2-04参考价格$2.818。Infineon Technologies SPP80N04S-2-04封装/规格：MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3。您可以下载SPP80N04S-2-04英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SPP80N03S2L04AKSA1带有引脚细节，包括管封装，它们设计为与SP000013902 SPP80NO3S2L-04 SPP80NO 3S2L04XK零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作1N信道配置。此外，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为22 ns，上升时间为3.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为190 mA，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.4V，Rds漏极-源极电阻为6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.4ns，典型接通延迟时间为2.3ns，Qg栅极电荷为600pC，正向跨导最小值为0.41S，沟道模式为增强。
SPP80N03S2L-04是MOSFET N-CH 30V 80A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为54 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SPP80N03系列，该器件的上升时间为20 ns，漏极-源极电阻Rds为4.2 mOhms，Pd功耗为188 W，零件别名为SP000013902 SPP80NO3S2L04AKSA1 SPP80NO 3S2L04XK，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为19 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPP80N03S2L-05是MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了20纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如80A，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，部件别名为SP000013466 SPP80N03S2L05AKSA1 SPP80NO3S2L05XK，Pd功耗为167 W，Rds漏极-源极电阻为5.2 mOhms，上升时间为18 ns，系列为SPP80N3，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SPP80N03S2L-04（2N03L04），带有INF/EDA/CAD模型。SPP80NO3S2L-04（2N03LO 4）采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
