SUM110N06-3M4L-E3

Name: SUM110N06-3M4L-E3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7157854-SUM110N06-3M4L-E3
Price: 90.594193 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 300 nC @ 10 V
部件状态过时的
漏源电流 (Id) @ 温度 110A（Tc）
供应商设备包装 TO-263（DPak）
导通电阻 Rds(ON) 3.4毫欧姆@30A，10V
最大功耗 3.75W (Ta), 375W (Tc)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12900 pF@25 V

SUM110N06-3M4L-E3 产品详情

SUM110N06-3M4L-E3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
SUM40012EL-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 150A（Tc）最大功耗: 150W（Tc）供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥20.71469
SUM60N02-3M9P-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 120W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥17.52782
SUM110P06-07L-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥28.9716
SUM110N10-09-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥29.62346
SUM70101EL-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc）最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥32.15848
SUM90N10-8M2P-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥33.67949
SUM110P06-08L-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 272W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥33.75191
SUM45N25-58-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 250伏漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥34.04163
SUM70030M-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 150A（Tc）最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥26.79873
SUMMRNGHT5PC		SUMMER NIGHT 5-PIECE OUTDOOR PAT	¥0.00

SUM110N06-3M4L-E3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SUM110N06-3M4L-E3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SUM110N06-3M4L-E3价格参考￥90.594193，你可以下载 SUM110N06-3M4L-E3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SUM110N06-3M4L-E3规格参数、现货库存、封装信息等信息！