SUM33N20-60P-E3

Name: SUM33N20-60P-E3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7157866-SUM33N20-60P-E3
Price: 40.241552 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 3.12W（Ta）、156W（Tc）供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

库存: 9000
单价: ¥40.24155
数量:
- +
总计: ¥40.24

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
安装类别表面安装
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
漏源电压标 (Vdss) 200伏
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
漏源电流 (Id) @ 温度 33A (Tc)
部件状态过时的
供应商设备包装 TO-263（DPak）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏、15伏
导通电阻 Rds(ON) 59毫欧姆 @ 20A, 15V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 113 nC@15 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2735 pF@25 V
最大功耗 3.12W（Ta）、156W（Tc）

SUM33N20-60P-E3 产品详情

SUM33N20-60P-E3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
SUM40012EL-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 150A（Tc）最大功耗: 150W（Tc）供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥20.71469
SUM60N02-3M9P-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 120W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥17.52782
SUM110P06-07L-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥28.9716
SUM110N10-09-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥29.62346
SUM70101EL-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc）最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥32.15848
SUM90N10-8M2P-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥33.67949
SUM110P06-08L-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 272W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥33.75191
SUM45N25-58-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 250伏漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥34.04163
SUM70030M-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 150A（Tc）最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥26.79873
SUMMRNGHT5PC		SUMMER NIGHT 5-PIECE OUTDOOR PAT	¥0.00

SUM33N20-60P-E3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SUM33N20-60P-E3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SUM33N20-60P-E3价格参考￥40.241552，你可以下载 SUM33N20-60P-E3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SUM33N20-60P-E3规格参数、现货库存、封装信息等信息！