9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPP18P06PHKSA1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SPP18P06PHKSA1参考价格$4.22。Infineon Technologies SPP18P06PHKSA1封装/规格:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3。您可以下载SPP18P06PHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SPP17N80C3XKSA1是MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3,包括XPP17N80系列,它们设计用于管式封装,数据表注释中显示了用于SP000683164 SPP17N60C3 SPP17N70C3XK的零件别名,该产品提供单位重量功能,如0.21164oz,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,该技术是Si,该器件以单配置提供,该器件具有227 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为12 ns,上升时间为15 ns,Vgs栅极-源极电压为+/-20 V,Id连续漏极电流为17 a,Vds漏极-源极击穿电压为800V,Vgs栅极-源极阈值电压为3V,Rds导通漏极-漏极电阻为250m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为72ns,典型接通延迟时间为25ns,Qg栅极电荷为88nC,沟道模式为增强型。
SPP18P06P H是MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.211644盎司,提供典型的关断延迟时间特性,如25 nS,晶体管类型设计为在1个P沟道中工作,以及P沟道晶体管极性,该设备也可以用作SIPMOS商标名。此外,该技术为Si,该器件为SPP18P06系列,该器件的上升时间为5.8 ns,漏极-源极电阻Rds为130 mOhms,Qg栅极电荷为-21 nC,Pd功耗为81.1 W,部件别名为SP000446906 SPP18P01PHXK SPP18-P06PHXKSA1,封装为管,封装外壳为TO-220-3,通道数为1通道,安装类型为通孔,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+175℃,Id连续漏电流为-18.7 A,下降时间为11 ns,配置为单一。
SPP18P06P是INFINEON制造的Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A 3引脚(3+Tab)TO-220。SPP18P06P在TO-220封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持Trans-MOSFET P-CH 60V 18.7A 3引脚(3+Tab)TO-220。