9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS8672AS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS8672AS参考价格为6.886美元。onsemi FDMS8672AS封装/规格：MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PFN。您可以下载FDMS8672AS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMS8670S是MOSFET N-CH 30V 20A POWER56，包括PowerTrenchR、SyncFET？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002402盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的Power56，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为4000pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为20A（Ta），42A（Tc），Rds On最大Id Vgs为3.5 mOhm@20A，10V，Vgs th最大Id为3V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为73nC@10V，Pd功耗为2.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为19纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为42 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通-漏极电阻为3.5毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为37纳秒，典型的开启延迟时间为14ns，信道模式为增强。
FDMS8671S，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDMS8671S在PQOAM封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDMS8672，带有FAI制造的电路图。FDMS8672在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
