9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA220N075T7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA220N075T7参考价格为5.836美元。IXYS IXTA220N075T7封装/规格：MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7。您可以下载IXTA220N075T7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA220N04T2-7是MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds，包括IXTA220NO4系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchT2，以及to-263-7封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单频源配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为21纳秒，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为220A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型导通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为112nC，并且前向跨导Min为40S，并且信道模式为增强。
IXTA220N04T2是MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds，包括4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为15 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以TrenchT2商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTA220N04，上升时间为21ns，漏极-源极电阻Rds为2.8mOhm，Qg栅极电荷为112nC，Pd功耗为360W，封装为Tube，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为220 A，正向跨导最小值为40 S，下降时间为21 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTA220N04，电路图由IXYS制造。IXTA220N04采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
IXTA220N055，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTA220N055在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
