9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA2N80P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA2N80P参考价格为11.39美元。IXYS IXTA2N80P封装/规格：MOSFET N-CH 800V 2A TO263。您可以下载IXTA2N80P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTA2N100P是MOSFET 2安培1000V 7.5 Rds，包括IXTA2N100系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有86 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2 a，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强型。
IXTA2N100是MOSFET 2安培1000V 7 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTA2N100系列，器件的上升时间为15 ns，漏极电阻Rds为7欧姆，Pd功耗为100 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2A，下降时间为30ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTA2N80是由IXYS制造的MOSFET N-CH 800V 2A TO-263。IXTA2N80提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 800V 2A TO-263、N沟道800V 2A（Tc）54W（Tc）表面安装TO-263（IXTA）。
