9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA70N085T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA70N085T参考价格为2.168美元。IXYS IXTA70N085T封装/规格：MOSFET N-CH 85V 70A TO263。您可以下载IXTA70N085T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA6N50D2是MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK，包括IXTA6N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-263（IXTA），FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为300W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Ciss Vds为2800pF@25V，FET特性为耗尽模式，电流连续漏极Id 25°C为6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为500 mOhm@3A，0V，栅极电荷Qg Vgs为96nC@5V，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为43 ns，上升时间为72 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型导通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为96nC，正向跨导最小值为2.8S。
IXTA6N50P是MOSFET 6安培500V 1.1欧姆Rds，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.056438盎司，典型开启延迟时间设计为26 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTA6N50，上升时间为28 ns，漏极-源极电阻Rds为1.1欧姆，Qg栅极电荷为14.6 nC，Pd功耗为100 W，封装为Tube，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为6 A，正向跨导最小值为3.5 S，下降时间为26 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTA6N100D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）1000V 6A，包括47 ns的下降时间，它们设计为以2.6 S的最小正向跨导，Id连续漏极电流工作，如数据表注释所示，用于6 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用管封装，器件具有300W的Pd功耗，Qg栅极电荷为95nC，Rds漏极-源极电阻为2.2欧姆，上升时间为80ns，系列为IXTA6N100，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTA70N075T2是MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds，包括管封装，它们设计为与to-252-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单一等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXTA70NO75系列。此外，信道模式为增强型，该器件提供75V Vds漏极-源极击穿电压，该器件具有70A的Id连续漏极电流，典型关断延迟时间为31ns，上升时间为28ns，下降时间为22ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Pd功耗为150W，典型接通延迟时间为15ns，漏极-源极电阻Rds为12毫欧姆，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.056438盎司，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃。
