9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA80N10T7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA80N10T7参考价格为5.762美元。IXYS IXTA80N10T7封装/规格：MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7。您可以下载IXTA80N10T7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTA80N10T是MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds，包括IXTA80N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchMV，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为230 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为48 ns，上升时间为54 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为105V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为31ns，Qg栅极电荷为60nC，正向跨导Min为33S，并且信道模式是增强。
IXTA80N075L2带有用户指南，包括0.068654盎司的单位重量，它们设计为使用Si技术操作，包装如数据表注释所示，用于管中，提供to-263-3等封装盒功能，安装样式设计用于SMD/SMT。
IXTA7N80，电路图由IXYS制造。IXTA7N80采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
IXTA80N10，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTA80N10采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
