9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA88N085T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA88N085T参考价格$4.956。IXYS IXTA88N085T封装/规格：MOSFET N-CH 85V 88A TO263。您可以下载IXTA88N085T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA80N10T是MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds，包括IXTA80N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchMV，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为230 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为48 ns，上升时间为54 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为105V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为31ns，Qg栅极电荷为60nC，正向跨导Min为33S，并且信道模式是增强。
IXTA86N20T是MOSFET 86安培200V 29 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该设备也可以用作IXTA86N20系列。此外，Rds漏极-源极电阻为29 mOhms，器件提供480 W Pd功耗，器件具有封装管，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，并且Id连续漏极电流为86A，并且配置为Single。
IXTA80N12T2是MOSFET TrenchT2 MOSFET功率MOSFET，包括80A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供to-263AA-3等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及17mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作IXTA80N12系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为120 V。
IXTA80N12，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTA80N12有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单，支持MOSFET N-CH 120V 80A TO-263。
