9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ98N20T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ98N20T参考价格为2.688美元。IXYS IXTQ98N20T封装/规格：MOSFET N-CH 200V 98A TO3P。您可以下载IXTQ98N20T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTQ96N15P是MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P，包括IXTQ96N1 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及TO-3P-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为480 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为96A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为110nC，正向跨导最小值为35S，并且信道模式是增强。
IXTQ96N20P是MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.194007盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如28 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTQ96N20系列，器件的上升时间为30 ns，漏极电阻Rds为24 mOhms，Pd功耗为600 W，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为96 A，下降时间为30 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTQ90N15T是由IXYS制造的MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P。IXTQ90N15T以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P、N沟道150V 90V（Tc）455W（Tc）通孔TO-3P和Trans MOSFET N-CH150V 90A3-Pin（3+Tab）TO-3P。
IXTQ96N25T，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTQ96N25T采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分，N沟道250V 96A（Tc）625W（Tc）通孔TO-3P，Trans-MOSFET N-CH 250V 96B 3引脚（3+Tab）TO-3P。
