9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTR30N25,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTR30N25参考价格16.944美元。IXYS IXTR30N25封装/规格:MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247。您可以下载IXTR30N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTR200N10P是MOSFET 133安培100V 0.008 Rds,包括IXTR200N20系列,它们设计用于管式封装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.186952盎司,提供安装方式功能,如通孔,商品名设计用于Polar,以及to-247-3封装盒,该设备也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件为单配置,该器件具有1个晶体管型N信道,Pd功耗为300 W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为90 ns,上升时间为35 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为120A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为5V,Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为150ns,典型接通延迟时间为30ns,Qg栅极电荷为235nC,正向跨导Min为60S,并且信道模式是增强。
IXTR20P50P是MOSFET-13安培-500V 0.490 Rds,包括-500V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为以0.186952盎司的单位重量工作。晶体管极性如数据表注释所示,用于P沟道,提供Si等技术特性。系列设计用于IXTR20P50,以及490 mOhms Rds漏极源极电阻,该装置也可以用作管包装。此外,封装外壳为TO-247-3,该器件采用通孔安装方式,该器件具有-13 a的Id连续漏电流。
IXTR210P10T是MOSFET TrenchP沟道功率MOSFET,包括-195 A Id连续漏极电流,它们设计用于通孔安装方式,封装盒如数据表注释所示,用于to-247-3,提供管、Rds漏极源电阻等封装特性,设计工作在8 mOhms,以及IXTR210P11系列,该器件也可以用作Si技术。此外,晶体管极性为P沟道,器件的单位重量为0.056438盎司,器件具有-100 V的Vds漏极-源极击穿电压。