9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTT60N10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTT60N10参考价格为5.164美元。IXYS IXTT60N10封装/规格：MOSFET N-CH 100V 60A TO268。您可以下载IXTT60N10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTT50P10是MOSFET-50安培-100V 0.055 Rds，包括IXTT50P11系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-268-2以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为39 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为-50 a，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds漏极源极电阻为55mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为46ns，沟道模式为增强型。
IXTT50N30是MOSFET 50安培300V 0.065 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在300 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTT50N30系列，器件的上升时间为33 ns，漏极电阻Rds为65 mOhms，Pd功耗为400 W，封装为管，封装外壳为TO-268-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为50 A，下降时间为17 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTT52N30P是MOSFET N-CH 300V 52A TO-268，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了20纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如52 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为400 W，Rds漏极-源极电阻为66 mOhms，上升时间为22 ns，系列为IXTT52N30，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为24ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极电压为20V。
