9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTT72N20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTT72N20参考价格为0.964美元。IXYS IXTT72N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 72A TO268。您可以下载IXTT72N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTT72N20价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTT69N30P是MOSFET N-CH 300V 69A TO-268，包括IXTT69N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT，以及TO-268-2封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为69A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为49mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为156nC，正向跨导Min为30S，并且信道模式是增强。
IXTT6N120是MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1200 V，提供单位重量功能，如0.158733 oz，典型开启延迟时间设计为28 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTT6N120系列，上升时间为33ns，漏极-源极电阻Rds为2.6欧姆，Qg栅极电荷为56nC，Pd功耗为300W，封装为管，封装外壳为TO-268-2，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6 A，正向跨导最小值为3 S，下降时间为18 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTT68P20T是MOSFET TrenchP功率MOSFET，包括-68 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式工作，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供to-268-2等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及55 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作IXTT68P20系列。此外，该技术为硅，该器件提供P沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型P沟道，单位重量为0.229281盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V。
