9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTU08N100P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTU08N100P参考价格为20.444598美元。IXYS IXTU08N100P封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 8A TO251。您可以下载IXTU08N100P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTU01N100是MOSFET 0.1安培1000V 80 Rds，包括IXTU01N 100系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.015168盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于IPAK-3以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有25 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为80欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为12ns，正向跨导最小值为160mS，沟道模式为增强。
IXTU02N50D是MOSFET 0.2安培500V 30 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为28 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTU02N50系列，器件的上升时间为4 ns，漏极电阻Rds为30欧姆，Pd功耗为1.1 W，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为200 mA，下降时间为4 ns，配置为单通道，通道模式为耗尽模式。
IXTU05N100是MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251，包括单一配置，它们设计为在750 mA Id连续漏极电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可以用作IPAK-3包装箱。此外，包装为卷筒，该器件提供40 W Pd功耗，该器件具有17欧姆Rds漏极-源极电阻，系列为IXTU05N100，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.056438盎司，Vds漏极源极击穿电压为1000 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXTU01N100D是由IXYS制造的MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251。IXTU01N100D可提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251、N沟道1000V 100mA（Tc）1.1W（Ta）、25W（Tc）通孔TO-251，Trans MOSFET N-CH-Si 1KV 3-Pin（3+Tab）TO-251AB。
