9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTF250N075T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTF250N075T价格参考1.43美元。IXYS IXTF250N075T封装/规格：MOSFET N-CH 75V 140A I4PAC。您可以下载IXTF250N075T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTF1N450是MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK，包括IXTF1N 450系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，包装盒设计用于i4 Pac-5（3引线），以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该设备提供1信道数信道，该设备具有ISOPLUS i4 PAC？供应商设备包，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为160W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为4500V（4.5kV），输入电容Cis Vds为1730pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为900mA（Tc），最大Id Vgs为85 Ohm@50mA，10V，Vgs最大Id为6.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为165 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为127 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极源极电压为20 V，Id连续漏极电流为900 mA，Vds漏极-源极击穿电压为4500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V至6V，Rds漏极源极电阻为95欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为34ns，Qg栅极电荷为40nC，正向跨导最小值为0.46S，沟道模式为增强。
IXTF02N450是MOSFET 4500V 200mA高压功率MOSFET，包括4 V至6.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于4500 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为17 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTF02N450系列，上升时间为48 ns，漏极-源极电阻Rds为750欧姆，Qg栅极电荷为10.4 nC，Pd功耗为78 W，封装为管，封装外壳为ISOPLUS-i4-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为200 mA，正向跨导最小值为100 mS，下降时间为143 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTF1N250带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为使用单一配置运行，数据表注释中显示了39 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如1.8 mS，Id连续漏极电流设计为工作在1 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装方式为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有ISOPLUS-i4-3封装盒，封装为管，Pd功耗为110 W，Qg栅极电荷为41 nC，Rds漏极-源极电阻为40欧姆，上升时间为25 ns，该系列为IXTF1N250，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为132ns，典型接通延迟时间为69ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为2500V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgsth栅极-源极阈值电压为2V至4V。
IXTF200N10T是MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds，包括管封装，它们设计用于通孔安装方式，配置如数据表注释所示，用于单双漏双源，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N沟道，以及IXTF200E10系列，该装置也可用作ISOPLUS-i4-3包装箱。此外，信道模式为增强型，器件提供6.3 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有45 ns的典型关断延迟时间，典型接通延迟时间为35 ns，下降时间为34 ns，上升时间为31 ns，Pd功耗为200 W，Id连续漏极电流为120 a，Vds漏极源极击穿电压为100 V，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281盎司，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃。
