9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH12N120，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH12N120参考价格为2.218934美元。IXYS IXTH12N120封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 12A TO247。您可以下载IXTH12N120英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH12N100是MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247，包括IXTH12N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12 a，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.05欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为21ns，沟道模式为增强。
IXTH12N100L是MOSFET 12安培1000V 1.3欧姆Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为110 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH12N100系列，器件的上升时间为55 ns，漏极电阻Rds为1.3欧姆，Pd功耗为400 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为65 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTH12N100Q是MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds，包括增强通道模式，它们设计用于单配置，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于12 a，提供安装类型特征，如通孔，通道数设计用于1通道，以及to-247-3封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，Pd功耗为300 W，器件提供1.05欧姆Rds漏极-源极电阻，器件具有IXTH12N100系列，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.229281盎司，Vds漏极源极击穿电压为1000 V。
