9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTY08N120P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTY08N120P参考价格$6.588。IXYS IXTY08N120P封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 8A TO220AB。您可以下载IXTY08N120P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTY08N100D2是MOSFET 8mAmps 1000V，包括IXTY08N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有60 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为48 ns，上升时间为57 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为800 mA，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为21欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为14.6nC，正向跨导最小值为0.33S，沟道模式为耗尽。
IXTY02N50D_TRL带有用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为28 ns，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，上升时间为4 ns，器件的漏极电阻为30欧姆Rds，器件具有1.1 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为200mA，并且下降时间为4ns，并且配置为单，并且通道模式为耗尽。
IXTY08N100P是MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了用于34 ns的下降时间，提供了800 mA等Id连续漏极电流特性，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为42 W，Rds漏极-源极电阻为20欧姆，上升时间为37 ns，系列为IXTY08N100，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为19ns，单位重量为0.012346oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
