9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTY24N15T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTY24N15T参考价格为3.488美元。IXYS IXTY24N15T封装/规格：MOSFET N-CH 150V 24A TO252。您可以下载IXTY24N15T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTY1R6N50P是MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds，包括IXTY1R5N50系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.012346 oz，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有43 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为1.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，第Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为3.9nC，正向跨导最小值为0.7S，沟道模式为增强。
IXTY1R4N60P是MOSFET 1.4安培600 V 8 Ohm Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为硅，器件为IXTY1R4N60系列，器件具有16纳秒的上升时间，漏极电阻Rds为9欧姆，Pd功耗为50 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.4A，正向跨导最小值为1.1S，下降时间为16ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTY1R6N100D2是MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK，包括41 ns的下降时间，它们设计为以0.65 S的最小正向跨导，Id连续漏极电流工作。数据表注释中显示了1.6 a中使用的电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用管封装，器件具有100W的Pd功耗，Qg栅极电荷为27nC，Rds漏极-源极电阻为10欧姆，上升时间为65ns，系列为IXTY1R6N100，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为27ns，单位重量为0.012346oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTY1R6N50D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）500V 1.6A，包括管封装，它们设计用于to-252-3封装盒，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N沟道，以及IXTY1R5N50系列，该器件也可以用作70 ns上升时间。此外，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，该器件以41 ns的下降时间提供，该器件具有35 ns的典型关断延迟时间，典型接通延迟时间为25 ns，Qg栅极电荷为23.7 nC，Vgs栅极-源极电压为20 V，Rds漏极源极电阻为2.3欧姆，Pd功耗为100 W，Id连续漏极电流为1.6A，正向跨导最小值为1S，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.012346盎司，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
