9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH200N085T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH200N085T参考价格$3.317934。IXYS IXTH200N085T封装/规格：MOSFET N-CH 85V 200A TO247。您可以下载IXTH200N085T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTH1N250是MOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds，包括IXTH1N 250系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为39 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为2500V，Rds导通漏极-漏极电阻为40欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为132ns，典型接通延迟时间为69ns，正向跨导最小值为1.8mS，沟道模式为增强。
IXTH1N450HV带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于管包装。
IXTH1N200P3HV，电路图由IXYS制造。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 2000V/1A HV功率MOSFET、N沟道2000V 1A（Tc）125W（Tc）通孔TO-247HV、MOSFET 2000V 1A HV功率MOS、TO-247HV。
IXTH200N075T是由IXYS制造的MOSFET N-CH 75V 200A TO-247。IXTH200N075T在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 75V 200A TO-247、N沟道75V 200B（Tc）430W（Tc）通孔TO-247（IXTH）、Trans MOSFET N-CH75V 200C 3引脚（3+Tab）TO-247。
